国产替代 HBM 远见智存突围HBM 海力士，三星，美光，垄断-全球 AI 公司净利润@招财珠

HBM远见智存的寒武纪之路

全球 AI 公司净利润

第一，本次AI的皇冠

这次AI最核心的受益者是什么，除了英伟达的GPU显卡以外，目前来看，目前最制约和最受益的就是存储，存储的皇冠，就是HBM。

正如SK会长崔泰源说的一样，未来信息就是硅基时代的石油，那存储的作用不言而喻。

1. 世界而言，海力士基本是本轮最赚钱的公司，目前单季度利润已经超过英伟达，明年会大幅超过英伟达。
2. 世界而言，海力士，三星，美光，叠加长鑫和长存，基本占据了整个AI链条一半的利润。
3. 国内而言，长鑫或成为今年AI链条利润最高的企业，超过华为成为 中国有最强能力的赚取公司。长鑫+长存的存储企业利润之和或大于其他科技企业之和。
4. 存储特别是HBM，供需缺口持续扩大，存储利润或进一步提升。

2026E 全球 AI 净利润池分布（约 6370 亿美元）

资料来源：原文配图；数值为据图人工读取的近似值，不代表精确财务数据。

国内HBM之路

目前HBM基本被海力士，三星和美光垄断。

目前全球公开范围内，公开能大规模量产HBM产品的仅为以上3家。

其中长鑫存储，目前来自研，预计2027年HBM3E量产。

文中的主角远见智存是全球HBM存储芯片异军突起的第四股力量。

公开资料显示（企业官方公众号）2025年2月5日，完成新一代HBM3/3E存储芯片的设计工作，属于目前全球新一代智能存储芯片，相较于上一代，带宽，容量能效方面，均实现了显著提升，特别是针对国产大模型等想进行AI训练和推理需求，远见智存推出了2款适用不同场景的应用的HBM3/3E并于2026年4月，完成正式发布。

深圳远见智存科技有限公司今日正式发布自主研发的HBM3/3e高带宽存储芯片，推出24GB和12GB两款产品，带宽达819GB/s，符合JEDEC国际标准。

远见智存 HBM3/3e 产品规格

资料来源：远见智存官方公众号 / 原文配图；1024bit 数据总线位宽，较 DDR5 的 64bit 实现量级跃升。

这是国内企业在HBM领域取得的重要进展，此前SK海力士、三星、镁光三家海外巨头占据全球逾95%的市场份额。

公司产品有两大差异化优势：产品配备1024bit数据总线位宽，较DDR5的64bit实现量级跃升。

在对齐JEDEC国际标准之外，远见智存发布的HBM还具备两大差异化优势：

1. 极佳的功耗表现，能效提升通过优化核心电路电压域设计，整体功耗降低20%；
2. 特殊TSV冗余设计，良率提升采用TSV冗余性布局和可修复性设计，芯片制造良率提升约8%，相当于同等产能下节省近十分之一的晶圆成本。

远见智存 HBM3/3e 两大技术优势

资料来源：远见智存官方公众号 / 原文配图。

远见智存- HBM（高带宽存储）解决方案

突围1：HBM的极端复杂设计

→设计和架构方面的挑战包含：异构集成复杂度高的难题，时钟树和时序管理的难题。

→前后端设计和制造工艺方面的挑战在制程微缩的限制下，要求工程师同时对DRAM和LOGIC都同时了解，并对后端工艺有丰富积累。

突围2：绕开HBM的传统核心工艺

HBM通过堆叠内存芯片和硅通孔技术，微凸点互联实现单位面积更大容量。然而TSV的良品率低，难度大传统HBM遇到的问题。

远见智存通过改良绕开了TSV技术的制约问题，并在下一代通过对国内外产业链统合解决了高堆叠问题。

突围3：国内外先进封装技术

HBM和计算SOC合封最后阶段，需要COWOS高端封装工艺，这种2.5D封装是制约HBM的第三个因素。

COWOS又是台积电TSMC2011年推出的，全球范围内的COWOS产能紧张，台积电的订单排至2027年，且持续供不应求。

远见智存通过强大设计能力，提供多样化的产品，其中扁平化的HBM产品的热膨胀系数和计算SOC一致，不需要COWOS即可完成SOC和HBM的合封，从根本上解决了HBM在应用市场的产能紧张和良品率低的问题。

远见智存属于什么档次

远见智存的底蕴

十年磨一剑：全球首批HBM工程师团队

远见智存的核心创始团队，从2016年就在海外囊括美光和尔必达在内的两家的核心技术团队！提前布局了HBM的设计，从根本上解决了DRAM和Logic双重设计难题。

远见智存是一家国际化的Fabless（无晶圆厂）芯片设计公司，创始团队早在2016年即涉足前一代HBM研发，是全球最早一批从事HBM开发的工程师。团队在全国设有多个研发中心，国内及国际专家团队来自Micron及Elpida等存储巨头。

HBM设计融合逻辑芯片与存储芯片的系统工程，远见智存正是凭借这批拥有一线实战经验的国际化团队，完成了DRAM Die到Base Die的全部自主设计。

知识产权自主，供应链国产化配套

公司明确表示，无论是逻辑芯片还是存储芯片部分，全部知识产权归属远见智存。HBM产品采用“芯片设计+晶圆代工+封装测试”的Fabless模式，整套供应链均由我国供应商配套完成。

公司指出，近年来我国HBM相关产业链技术实力显著提升，此前市场普遍认为的多项瓶颈正在逐步突破。

产品路线图延伸至2029年

公司同步公布产品演进路线：

2027年将推出定制版HBM及HBM+HBF融合架构，面向大模型推理提供TB级容量方案；

2028年计划推出HBM4/4e，单颗带宽提升至2.5TB/s；

2029年规划推出HBM5及存内计算产品，探索“计算靠近数据”的架构方向。

远见智存产品路线图（2026–2029）

资料来源：远见智存官方公众号 / 原文配图；具体量产时间以公司公告为准。

从数据中心到千行百业

在应用层面，当前HBM3/3e已可应用于AI全产业的训练与推理场景。公司同时指出，HBM正处于关键十字路口——除标准规格的演化路径外，边缘侧和端侧应用正飞速发展。

远见智存已着手携手行业龙头企业，面向汽车车载、移动穿戴、具身智能及无人设备等场景进行定制化开发，未来低功耗、高可靠性、小容量高带宽等多元化产品趋势将逐步落地。

远见智存团队代表表示：“今天的HBM3/3e不只是一颗高端存储芯片，更是下一代数字基础设施的重要基石。”

远见智存的专利布局

深圳远见智存核心赛道为HBM 高带宽存储、先进 3D 封装、存算一体，整体专利围绕国产替代避障、全栈自主 IP、代际迭代、多场景落地、长期架构五大维度布局，核心特点是全链路自主知识产权、差异化绕障专利、跨代技术储备、国内外同步确权

专利布局核心战略逻辑

全栈自主确权

覆盖从 DRAM 存储裸片（DRAM Die）、Base Die 逻辑接口裸片、互联封装、控制器 IP 到系统架构完整链路，存储层 + 逻辑层核心 IP 全部自主持有，不依赖海外存储厂商底层授权，规避 IP 卡脖子风险。

差异化避障专利主线

针对海外垄断的 TSV 硅通孔、CoWoS 中介层两大封锁技术，大规模布局非 TSV HBM、有机硅中介层、混合键合替代方案专利，是国内少数完整掌握 HBM 无 TSV 量产路线专利池的企业。

代际递进专利梯队

按 HBM2e→HBM3/3e→HBM4/4e→HBM5+HBF + 存内计算分阶段申请，每一代产品同步配套架构、电路、封装、可靠性专利，形成层层保护壁垒。

场景化细分专利

数据中心 AI 训练推理、自动驾驶车载、边缘机器人、移动低功耗设备四条应用线同步布局适配性专利，区分工业级、消费级存储可靠性方案。

全球确权布局

国内发明 / 实用新型为主，同步规划海外专利申请，面向算力出海、海外 AI 客户建立知识产权防护网。

五大专利技术板块（核心专利方向）

（一）HBM 核心架构与电路设计专利（基础壁垒）

HBM 全链路总线架构

1024bit 超宽数据总线、JEDEC 标准兼容接口电路专利；HBM 堆叠通道均衡、带宽损耗优化、并行访问控制电路；HBM 多堆叠层级时序同步算法。

Base Die 控制器自主 IP 专利

自研存储控制器、纠错 ECC、功耗管理、热均衡控制电路；国内稀缺完整 HBM 基片逻辑层专利，区别于仅外购 DRAM 裸片的厂商。

DRAM Die 适配优化专利

适配国产 DRAM 晶圆的堆叠电路、读写时序校准、低电压高带宽驱动电路，打通国产 DRAM+HBM 协同设计专利壁垒。

（二）先进 3D 封装差异化替代专利（核心国产突破壁垒）

这是远见智存专利最具差异化的板块，用于绕开海外 TSV/CoWoS 专利封锁：

非 TSV 堆叠互联专利

无硅通孔垂直互联方案、微凸点高密度阵列、垂直信号无损传输结构，替代传统 TSV 技术路线。

有机硅中介层封装专利

自研有机材料中介层替代 CoWoS 硅中介层，大幅降低先进封装门槛，配套中介层布线、散热、应力缓冲专利；2023 年 HBM2e 量产方案核心专利集群。

混合键合、异质集成专利

HBM+HBF 融合堆叠、存储 + 算力裸片异质键合结构，为 2027 融合架构、2029 存算一体提前储备专利。

堆叠散热与可靠性专利

多层堆叠热传导路径设计、低应力封装结构、车载宽温可靠性加固方案，适配数据中心 / 汽车双场景。

（三）HBM 代际迭代专利储备（短期 + 中长期技术护城河）

对应官方产品路线图分三代专利池：

当前量产：HBM2e 专利集群

国内首个可量产非 TSV HBM 完整专利包，覆盖堆叠工艺、测试方案、良率提升算法，填补国产 HBM2e 专利空白。

在售主力：HBM3/3e 完整专利

819GB/s 带宽架构、12GB/24GB 容量规格、低功耗动态带宽调节、AI 推理专用内存调度专利，已完成流片确权。

中长期前瞻专利（2027–2029）

HBM4/4e：超高带宽 2.5TB/s 单颗架构、高密度堆叠专利；

HBM+HBF 融合架构：大容量 TB 级内存池专利；

HBM5 + 存内计算（存算一体）：近存计算、AI 算子片上执行、存算融合电路专利，布局下一代算力存储架构。

（四）垂直行业场景适配专利（商业化落地保护）

AI 算力数据中心专利

大模型训练 / 推理内存访问优化、多卡 HBM 互联、带宽动态分配、算力 – 内存协同调度算法。

车载工业级 HBM 专利

车规宽温、抗振动、高可靠纠错、自动驾驶多传感器高速缓存方案，面向车载计算域控市场。

边缘 / 移动低功耗专利

穿戴、无人机、具身机器人低带宽小容量定制 HBM，动态电压频率调节、休眠省电架构专利。

（五）测试、良率、供应链配套专利

HBM 堆叠成品测试、故障检测、通道修复专利；

国产晶圆 / 国产封测适配工艺协同专利，支撑全国产化供应链知识产权闭环；

存储功耗仿真、热仿真、可靠性仿真工具相关算法专利。

专利布局时间节奏

前置储备期（2016–2023，团队研发阶段）

创始团队提前布局 HBM 基础架构、非 TSV 替代方案核心发明专利，积累底层基础专利，规避后期侵权风险。

落地量产期（2023–2025，公司成立后）

集中申报 HBM2e 量产全套封装、电路、可靠性专利，形成国内首个差异化 HBM 专利壁垒；同步启动 HBM3/3e 系列专利申请。

规模化扩张期（2026 至今）

HBM3/3e 产品专利确权完成；批量申请车载、边缘场景细分专利；启动 HBM4、存算一体前瞻专利布局；同步规划海外专利申请。

长期布局（2027–2029）

HBM 融合架构、HBM5、存内计算专利持续输出，构建下一代存储技术专利护城河。

四、专利布局竞争优势

差异化避障专利池稀缺性

国内极少企业完整持有无 TSV + 有机中介层全套 HBM 替代专利，避开美日韩存储巨头 TSV、CoWoS 核心专利封锁，实现技术路线自主。

全链路知识产权闭环

多数国产厂商仅持有 DRAM 裸片或封装单一环节专利，远见智存同时覆盖存储裸片、逻辑基片、互联、系统四层专利，整体 IP 自主可控。

代际专利提前卡位

同步布局现有、下一代、远期存算一体三代专利，避免技术迭代出现专利断层，支撑长期产品迭代。

商用场景专利全覆盖

算力、车载、边缘多赛道专利同步落地，支撑多元化客户与定制化产品商业化，形成专利 + 产品双向壁垒。

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本文要点总结：远见智存的 HBM 突围

注：本表为文章要点归纳，供速览，细节以正文及原始来源为准。

来源公众号：招财珠